三星宣布，将在 2022 年上半年开启大规模 3nm 工艺制造

导读： 三星宣布，将在 2022 年上半年开启大规模 3nm 工艺制造 10 月 12 日消息，在近期三星电子方面宣布，将在 2022 年上半年进行大规模的 3nm

　　网友提问：

　　 三星宣布，将在 2022 年上半年开启大规模 3nm 工艺制造

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　　10 月 12 日消息，在近期三星电子方面宣布，将在 2022 年上半年进行大规模的 3nm 工艺产品生产，其进度将领先竞争对手台积电。

　　在 10 月 7 日，三星电子 ( SamsungElectronics ) 宣布，将于明年上半年开始使用 GAA 技术生产客户的 3 纳米 ( Nm ) 芯片设计。三星电子公司还表示，2023 年将大规模生产第二代 3 nm 芯片，2025 年将大规模生产 2 nm 芯片。

　　三星电子将利用 GAA 技术生产 3nm 芯片，以提高作为半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率。与基于 FinFET 技术的 5nm 工艺相比，三星的第一个 3 nm GAA 工艺节点的性能提高了 30%，功耗降低了 50%，芯片面积减少了 35%。该公司计划将第三代 GAA 技术应用于将于 2025 年推出的 2 纳米工艺。

　　台积电计划继续将 FinFET 技术应用于 3 nm 工艺，并从 2 nm 工艺开始引入 GAA 技术。

　　根据目前数据，三星将成为世界上第一个大规模生产 3nm 半导体的制造厂，现阶段台积电在 2021 年第二季度占全球半导体代工制造市场的 58%。三星的份额是 14%。