Intel2 年内 EUV 工艺或超越台积电、三星

导读：芯研所 9 月 19 日消息，Intel 日前努力追赶代工工艺，CEO 制定的路线图意味着他们只要 2 年就能实现 EUV 工艺赶超台积电、三星的计划。Intel 目前量产

　　芯研所 9 月 19 日消息，Intel 日前努力追赶代工工艺，CEO 制定的路线图意味着他们只要 2 年就能实现 EUV 工艺赶超台积电、三星的计划。Intel 目前量产的工艺是 Intel 7，从明年的 14 代酷睿开始进入 Intel 4 工艺，这是 Intel 首个 EUV 工艺，之后的 Intel 3 工艺则是在 Intel 4 基础上改进。

　　2024 年上半年 Intel 会量产 20A 工艺，原定 2025 年量产的 18A 工艺也提前到了 2024 年下半年，这两代工艺会放弃 FinFET 晶体管工艺，首次进入埃米级工艺，用上 Intel 的两大黑科技技术，也就是 RibbonFET 和 PowerVia，前者是 GAA 晶体管的 Intel 版，后者是 Intel 首创并独有的背面供电技术。

　　按照 Intel 的计划，这个路线图意味着他们在 2023-2024 年的 1-2 年内就会实现三代 EUV 工艺量产，而且技术水平足以超过台积电重返第一的。台积电、三星最早在 2018-2019 年就开始生产 EUV 工艺，华为的麒麟 990 是首个台积电 7nm EUV 工艺，到 2024-2025 年的时候，这两家量产 EUV 工艺至少 5-6 年时间，Intel 只用 1-2 年就轻松超越了。Intel 现在的 4 年量产 5 代 CPU 工艺的路线图如果没有任何跳票，那真的是 Intel 的奇迹 4 年。