三星量产第 8 代 V-NAND 闪存

导读：芯研所 11 月 7 日消息，日前，三星宣布开始大规模生产 236 层 3D NAND 闪存芯片，并将其命名为第 8 代 V-NAND，方案能带来 2400MTps 的传输

　　芯研所 11 月 7 日消息，日前，三星宣布开始大规模生产 236 层 3D NAND 闪存芯片，并将其命名为第 8 代 V-NAND，方案能带来 2400MTps 的传输速度（对应的 SSD 传输速度轻松超过 12GBps）。得益于存储容量更大。V-NAND V8 闪存的厚度依然可以控制在合理水平，封装 512GB 容量也不超过 0.8mm，可以用于新一代智能手机。

　　按照三星的表述，与现有相同容量的闪存芯片相比，新一代 3D NAND 可提高提高 20% 的单晶生产率，从而进一步降低了成本，这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

　　在未来，三星的 V-NAND 闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过 500 层，这被视为 3D 闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造 1000 层堆栈的 3D 闪存。