台积电 3nm 工艺下周艰难量产，技术水平被 Intel 7nm 直追

导读：2022 年本来该是半导体工艺转向 3nm 量产的一年，台积电本预先发布的 3nm 工艺结果被三星在 3 月份抢先宣布了，而台积电之前提到的 9 月份量产早已无效，官方承诺

　　2022 年本来该是半导体工艺转向 3nm 量产的一年，台积电本预先发布的 3nm 工艺结果被三星在 3 月份抢先宣布了，而台积电之前提到的 9 月份量产早已无效，官方承诺的是年底。距离 2022 年还剩下最后几天了，台积电总算兑现了承诺，宣布下周将在南科举办量产暨扩厂典礼，届时会正式量产 3nm 工艺。

　　但是这个时间点宣布量产，2022 年的 3nm 产量可以忽略不记，只是让台积电兑现今年量产 3nm 的承诺，真正有产品放量还要到 2023 年。台积电之前公布了至少 5 种 3nm 工艺，现在还不好确定即将量产的是 N3 还是 N3E，前者此前有爆料称已经被放弃，因为成本太高，苹果也不用了，导致没有客户，量产没有意义。

　　根据台积电说法，对比 N5 工艺，N3 功耗可降低约 25-30％，性能可提升 10-15％，晶体管密度提升约 70％。但是 N3 工艺实际的表现不一定有这么好，前不久在 IEDM 2022 大会上，台积电论文种公布了 3nm 下 SRAM 的真实密度，表现让人很担心。

　　N3 工艺的 SRAM 单元的面积为 0.0199 平方微米，相比于 N5 工艺的 0.021 平方微米只缩小了区区 5％！更糟糕的是，所谓的第二代 3nm 工艺 N3E，SRAM 单元面积为 0.021 平方微米，跟 N5 工艺毫无差别。台积电这样挤牙膏的提升，让 Intel 有了追赶回来的机会，虽然 3nm 的 SRAM 密度还是要比 Intel 的 10nm ESF（现在的 Intel 7）高不少，但跟 Intel 的 7nm EUV 工艺（现在的 Intel 4）相差无几。