台积电 3nm 良品率达 80% 竞争对手一言难尽

导读：在 3nm 这个段位上，三星和台积电展开了 PK，台积电的命名为 N3，号称 5nm 之后的一个全新工艺节点，可将密度增加 70％，同等功耗下性能提升 10-15％，同等

　　 在 3nm 这个段位上，三星和台积电展开了 PK，台积电的命名为 N3，号称 5nm 之后的一个全新工艺节点，可将密度增加 70％，同等功耗下性能提升 10-15％，同等性能下功耗降低 25-30％。三而星的命名为 3GAE，首次引入 GAA 全环绕栅极晶体管技术 ( 初期版本 ) 。

　　 据半导体专业人士分析，台积电 N3 工艺目前的良品率低则 60-70％，高则 70-80％，与 5nm 工艺初期的水平类似。

　　 对于刚投入量产的先进工艺来说，这已经是非常不错的良率水平，具备了大规模量产、供货的条件。

　　 作为竞争对手，三星 3GAE 的初期良率要低得多，估计在 10-20％左右，而且一直没有明显改善，芯片质量也参差不齐。当然，以上数字都是业界估测，台积电、三星都不可能公布具体数字，最终谁能笑到最后我们拭目以待。