索尼 Xperia 1 V 宣传海报曝光：将搭载全新“双倍低噪感光元件”

导读：近日消息，索尼新一代旗舰手机Xperia 1 V 在香港的户外宣传海报流出，并称新机将搭载 " 次世代双倍低噪感光元件 "。早在 4 月 27 日，索尼官博 @索尼 -Xp

　　近日消息，索尼新一代旗舰手机Xperia 1 V 在香港的户外宣传海报流出，并称新机将搭载 " 次世代双倍低噪感光元件 "。早在 4 月 27 日，索尼官博 @索尼 -Xperia 便宣布即将在 5 月 11 日发布新一代旗舰手机 Xperia 1 V。

　　从海报能够看到，索尼 Xperia 1 V 的外观与前代差别不大，使用了直角边框设计，后盖延续了竖条形摄像头 Deco，辅以中置索尼 logo 彰显身份。此外，能够看到此次 Xperia 1 V 将会有三颗摄像头，且仍然使用了蔡司 T* 镜头镀膜。

　　官博称，索尼 Xperia 新品将搭载 "Next-gen Sensor"（次世代传感器），结合户外海报所称 " 次世代双倍低噪传感器 "，预计此次索尼 Xperia 1 V 在影像硬件方面将搭载一种 " 双层晶体管像素结构 " 堆栈式 CMOS 传感器 ( Stacked CMOS Image Sensor Technologywith 2-Layer Transistor Pixel ) 。

　　（传统堆栈式 CMOS 与新型双层结构堆栈式 CMOS 传感器结构区别示意图）

　　2021 年 12 月 16 日，索尼半导体发布了这一种全新的 CMOS 传感器。从命名和结构示意图可以看出，这种 CMOS 传感器类似于已广泛使用的堆栈式 CMOS 传感器。

　　传统堆栈式 CMOS 单颗像素由光电二极管与像素晶体管组成，并将处理电路放置在最下方以取代背照 / 前照式 CMOS 传感器的基板，大幅提升了图像处理能力。

　　而新型的双层结构堆栈式 CMOS 传感器则是将用于感光的光电二极管与用于放大信号的像素晶体管分离，将像素晶体管移至光电二极管下方，加上处理电路共同组成新的堆栈结构。

　　这一做法使得光电二极管可以获得更大的感光面积。而像素晶体管也由于具备更大的空间，降低了信号放大时的杂讯，能够生成噪点更少观感更纯净的图像。索尼表示，双层结构 CMOS 大约 " 将饱和信号水平提高了一倍 "。

　　但据消息称，将光电二极管堆叠在晶体管上需要极高的对准精度，而且键合温度远高于普通 CMOS 传感器的结构，这使得大规模生产双层结构堆栈式 CMOS 传感器的难度非常高。

　　编辑点评：索尼不愧是 " 技术狂人 "，若其实际表现与索尼说法相符，那么这一新型 CMOS 将改变现有影像器材的格局，35mm 全画幅 CMOS 也能够达到 44x33 中画幅 CMOS 的感光能力，更不用说能够给手机上更小的 CMOS 带来多大的提升。若此次 Xperia 1 V 搭载了这一新型 CMOS，猜测索尼目前的制造工艺可能只是能够生产物理上较小的 CMOS，而要生产更大画幅 CMOS 则可能需要更多的时间攻克技术难题。