发热解决了，三星第二代 3nm 工艺能效提升 34%，性能提升 22%

导读：5 月 10 日消息，三星电子披露了第二代 3 纳米工艺的技术水平，与目前的 4 纳米（SF4）工艺相比，新的 3 纳米工艺将芯片性能提高了 20% 以上。　　报道称，在

　　5 月 10 日消息，三星电子披露了第二代 3 纳米工艺的技术水平，与目前的 4 纳米（SF4）工艺相比，新的 3 纳米工艺将芯片性能提高了 20% 以上。

　　报道称，在 2023 年国际超大规模集成电路研讨会上，三星提供的介绍资料显示，第二代 3 纳米工艺的芯片比目前 4 纳米工艺的芯片速度快 22%，功率效率高 34%。此外，与前一代相比，芯片尺寸将减少 21%。

　　据了解，三星第一代 3 奈米工艺去年 6 月首次投产，第二代 3 纳米工艺将于明年投产，三星曾声称，与 5 纳米工艺的芯片相比，第一代 3 纳米芯片性能提高了 23%，芯片尺寸缩小了 16%。

　　台积电最近也公布了类似数据，其第二代 3 纳米工艺与 5 纳米（N5）工艺芯片相比，芯片性能提高了 18%，芯片功耗降低了 32%。台积电的 N5 工艺一般被认为在技术上与三星的 SF4 工艺相似或接近。